Masson Michel | Centre d'Etudes Nucleaires de Fontenay aux Roses, Commissariat a l'Energie Atomique
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論文 | ランダム
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- Low-energy deuterium implantation for the enhancement of gate oxide reliability in MOSFETs (Electron devices: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Low-energy deuterium implantation for the enhancement of gate oxide reliability in MOSFETs (Silicon devices and materials: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 進行性破壊を考慮した斜面安定解析
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