Takamatsu Jun | Advanced Semiconductor Devices Research Labs., R&D Center, Toshiba Corporation
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概要
論文 | ランダム
- RF-MBE法によるバルクGaN単結晶N面上へのGa極性GaN薄膜の成長 : エピキタシャル成長II
- MBE 成長におけるGaN 薄膜の極性制御
- 新鮮肩鎖関節脱臼に対する肩峰下 pinning 法
- 早期運動療法ができる新鮮肩鎖関節脱臼に対する経皮的 pinning 法
- 新たな他工場灰受入枠拡大を目指した溶融の取組み (灰の溶融処理特集)