Dote Toshihiko | Department of Electrical Engineering,Fukui Institute of Technology
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概要
論文 | ランダム
- 米国の研究機関とわが国の研究活動(講演要旨) (技術開発共同施設基本構想策定調査報告について)
- Cd3P2-Zn3P2系固溶半導体の物理的および電子的性質
- Zn3As2-CdSnAs2系合金半導体の物理的および電子的性質
- Cd3AS2-Zn3As2系固溶半導体の物理的および電子的性質
- ZnSiAs2,ZnGeP2およびCdGeP2各化合物の作製とそれらの半導性