Saito Hisashi | Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-S9-2 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-S9-2 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japanの論文著者

Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-S9-2 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan | 論文

• Vertical InGaAs Channel Metal--Insulator--Semiconductor Field Effect Transistor with High Current Density

もっと見る

スポンサーリンク