Chung Seon-Yong | Department of Environmental Engineering, College of Engineering, Chonnam National University
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概要
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論文 | ランダム
- Surrounding Gate Transistorにおける量子効果を考慮したC-V特性のウェハ面方位依存性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 座談会 (特集 あすを拓く放射光利用)
- 強反転領域におけるSGTの移動度増加(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- C-11-5 Surrounding Gate Transistorにおける量子効果を考慮した反転層電子分布(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)
- 強反転領域におけるSGTの移動度増加