大河内 直彦 | 独立行政法人海洋研究開発機構海洋・極限環境生物圏領域:東京工業大学大学院総合理工学研究科:東京大学大学院理学系研究科
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概要
論文 | ランダム
- ゾルゲル法により形成したBi_La_XTi_3O_(BLT)薄膜の表面層を利用した配向性・電気的特性制御(新型不揮発性メモリー)
- 強誘電体PZT薄膜のゾルゲル法における減圧仮焼成の効果(半導体Si及び関連材料・評価)
- C-11-7 減圧仮焼成を用いたゾルゲル法による PZT 薄膜の作製と評価
- 強誘電体ゲートトランジスタ用SBT系材料の形成と評価
- ITOチャネル強誘電体ゲートFETの特性改善