Koizumi Hideo | Department Of Physics Osaka University:electrical Communication Laboratory Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation

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概要

• 同名の論文著者
• Department Of Physics Osaka University:electrical Communication Laboratory Nippon Telegraph And Telephone Public Corporationの論文著者

論文 | ランダム

• 19aYA-6 中エネルギーHeイオンの結晶表面での荷電変換過程(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27aWB-3 極薄Ni/SiC(0001^^-)表面の原子配列と電子状態(II)(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27aWB-2 極薄Ni/6H-SiC(0001^^-)表面の原子配列と電子状態(I)(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27aWB-1 第一原理計算による6H-SiC(000-1)2×2表面構造と電子状態(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 13aTG-9 低、及び中エネルギー領域でのイオン後方散乱における標的電子の応答効果(放射線物理, 領域 1)

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