Sugiyama K | 広島大放セ
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概要
広島大放セ | 論文
- 25aWX-6 三次元トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3の異方的なフェルミ面(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aHG-2 トポロジカル絶縁体三元カルコゲナイドの放射光角度分解光電子分光(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTR-2 低エネルギー放射光ARPESを用いたトポロジカル絶縁体三元カルコゲナイドにおけるディラック電子状態の観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTN-8 ARPES及びXMCD分光を用いたMnドープBi_2Se_3の電子状態の研究(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
- 28pXG-7 バルクキャリアドーピングによるTlBiSe_2トポロジカル表面状態のスピンヘリシティ制御(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))