Nakatani Takeshi | Department Of Material Physics Osaka University
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概要
Department Of Material Physics Osaka University | 論文
- 21pGL-7 結晶のキラリティ選択(21pGL 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pGL-8 微細構造基板上へのヘテロ吸着3,ポスト基板上での濡れ(21pGL 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pYG-9 微細構造基板上へのヘテロ吸着2 : ポスト基板(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28pYG-8 微細構造基板上へのヘテロ吸着 : 1.並行溝基板(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- Low-temperature crystallization of thin silicate layer on crystalline Fe dust