Lan Sheng | 筑波大 物理工学系

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概要

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• 筑波大 物理工学系の論文著者

筑波大 物理工学系 | 論文

• 不純物に起因するポテンシャル揺らぎの電子移動度への影響
• 統計的解析によるPoly-Si TFTの結晶粒界の影響の評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 統計的解析によるPoly-Si TFTの結晶粒界の影響の評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• デバイス・シミュレーションとその物理
• 不純物に起因するポテンシャル揺らぎの電子移動度への影響

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