久保田 均 | 独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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概要
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター | 論文
- MgOバリアを用いたMTJ素子におけるスピントルク磁化反転
- L1_0型垂直磁化膜におけるスピン注入磁化反転とスピンRAMへの応用可能性
- 23pWL-13 トンネル磁気抵抗素子に加わるスピントルクのバイアス電圧依存性(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピンダイス : 磁気抵抗素子を用いた物理乱数発生器
- 4E-1 スピン注入磁化反転を用いた乱数発生器(セキュリティ(1),一般セッション,セキュリティ)