菅原 哲也 | 山形県工技セ 庄内試
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概要
論文 | ランダム
- 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化 (シリコン材料・デバイス)
- 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性 (シリコン材料・デバイス)
- 招待講演 Ge膜のエキシマレーザ誘起スーパーラテラル成長 (シリコン材料・デバイス)
- 招待講演 軟X線照射のみによる半導体非晶質膜の低温結晶化 (シリコン材料・デバイス)
- 長老の智慧 高向巌(その3)米国発の金融技術で拓銀の継承作業が進展