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山口 静夫 | 九州共立大学工学部電器電子情報工学科
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九州共立大学工学部電器電子情報工学科 | 論文
FeCoV膜及びFeNi膜の磁化特性に及ぼす極薄FeNiMo磁性層の影響
FeNiMo磁性層がFeCoV膜及びFeNi膜の磁化特性に及ぼす影響
極薄FeNiMo磁性層のFeCoV膜及びFeNi膜の磁化特性に及ぼす影響
Bi_SiO_ 結晶を用いた光電圧測定でのλ/4 板の影響
二つのBi_SiO_結晶組み合わせでのポッケルス効果による変調率の検討
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