中島 和敏 | ソニー国分株式会社 Ccd開発センター
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概要
論文 | ランダム
- 20aXB-8 GaNの光吸収端の塑性変形による変化(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 大腿骨転子部骨折の治療成績
- 20aYN-1 III-V族化合物半導体の塑性変形による光吸収スペクトルの変化(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aYM-11 III-V族化合物半導体の光学スペクトルの塑性変形による変化(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 27aYM-10 III-V族化合物半導体中転位の電子線ホログラフィー(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))