広瀬 真由美 | Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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概要
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Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation | 論文
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
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