Lee J‐d | Samsung Electronics Co. Gyunggi‐do Kor
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概要
論文 | ランダム
- C-11-6 Floating Channel type SGT(FC-SGT)フラッシュメモリにおける書込・消去特性の柱半径依存性
- C-11-5 高集積化を実現するFloating Channel type SGT(FC-SGT)Flashメモリセルのビットライン形成法
- 新しい基板コンタクト型パストランジスタ
- 新しい基板コンタクト型パストランジスタを用いた全加算器
- C-12-9 超高電流利用率を実現したULSI用降圧回路