Segi-Nishida Eri | Department of Biological Science and Technology, Faculty of Industrial Science and Technology, Tokyo University of Science

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概要

• 同名の論文著者
• Department of Biological Science and Technology, Faculty of Industrial Science and Technology, Tokyo University of Scienceの論文著者

論文 | ランダム

• 半導体デバイス中の量子状態実空間観測 (特集 NTT物性科学基礎研究所における基礎研究最前線)
• 24aXK-5 吸着In原子に束縛されたInAs表面状態間の相互作用(ナノチューブ・ナノワイヤ,表面ナノ構造量子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 化合物半導体表面の量子現象
• 27pXC-9 InGaAs/GaAs(111)A表面量子井戸中の局所状態密度分布の低温STM観察(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pWF-2 半導体ナノ構造の電子状態の低温STM観測(領域4,領域5合同シンポジウム : 半導体物性研究におけるイメージング計測の現状,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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