Ishibashi Hideaki | Department of Orthopedic Surgery, Ina Hospital, Saitama, Japan
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概要
論文 | ランダム
- 7a-B-7 ESR of Defects in O^+ Ion Implanted Silicon (Si-P2 Center)
- 7a-B-6 P^+イオン打ち込みのESR(アニール特性)
- 3a-N-5 P^+イオン打込みSiのdefectsのESR(打込み条件による変化)
- 3a-N-4 P^+イオン打込みSiのdefectsのESR(電気的特性との比較)
- 3a-N-3 Bイオン打込みSiのEPR