Koizumi Akihisa | Faculty of Science, Himeji Institute of Technology, 1479-1 Kanaji, Kamigori, Ako-gun, Hyogo 678-12
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概要
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論文 | ランダム
- 抵抗領域で動作するMOSFETを用いたOTAの入力電圧範囲の改善
- 動的基板制御による非対称SRAM (集積回路)
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析 (集積回路)
- Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価 (集積回路)
- ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討 (集積回路)