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杉原 五郎 | (株)地域計画・建築研究所
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500V3AワンチップインバータIC用横型IGBTの特性向上
SIPOS膜を挟んだSOI基板を用いた1200V素子の電気特性
横型SOI高速ダイオードの逆回復特性
SIPOS膜を用いた新構造高耐圧SOI素子
SOIマルチ・チャンネルIGBTの電気特性
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