関 岳人 | 東大院工
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概要
東大院工 | 論文
- 21pGP-2 微傾斜SiC(0001)表面上グラフェンの安定構造と電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aXB-9 N/Cu(001)表面の自己組織化構造の理論解析(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-25 AlおよびNaポイントコンタクトの電気伝導特性の第一原理計算(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-30 基板の歪みを考慮した表面自己組織化構造の理論解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSB-5 基板の歪みを考慮した表面吸着構造の理論解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)