中井 浩巳 | 早稲田大学 先進理工学部 化学・生命化学科,〒169-8555 東京都新宿区大久保3-4-1|京都大学 触媒・電池元素戦略ユニット(ESICB),〒615-8520 京都府京都市西京区京都大学桂|早稲田大学 理工学総合研究所,〒169-8555 東京都新宿区大久保3-4-1
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概要
論文 | ランダム
- InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 : 半導体光増幅器の実現に向けて(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
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