高柳 篤史 | 日本ゼオン(株) 総合開発センター基盤技術研究所
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概要
論文 | ランダム
- The Status and Future of Low-Dose SIMOX Technology
- マグネトロンイオンエッチングによってSi表面上に形成された汚染膜のX線光電子分光法による観察
- Ti/SiO2/TiSi2/Si系におけるTiとSiO2薄膜界面の高温反応-XPSによる研究-
- Si表面におけるTiSi2の膜の成長と酸化
- W表面へ複合吸着したHg, NaIおよびI2の電界電子顕微鏡による研究