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濵﨑 史生 | 電源開発(株) 原子力技術部設備技術室
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4a-D-2 アモルファスSi:Nb薄膜の金属非金属転移
28p-G-4 金属非金属転移近傍のSiでの非線形電気伝導
12a-A-4 CH_3CSNH_2における^1H NMRの緩和時間
29a-L-5 層状超伝導体の磁場侵入深さの直接測定
4p-B-19 アモルファスシリコンへのイオン注入 ; 電気伝導
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