Takeuchi Tetsuya | Low Temperature Center, Osaka University, Machikaneyama-cho, Toyonaka 560
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概要
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論文 | ランダム
- 解離拡散における空孔および格子間原子平衡の條件 : 格子欠陥
- 15a-G-11 Si p-n接合でのすべりおよび上昇運動による転位の発生
- 15a-G-9 SiP-N接合の格子欠陥と生成 : 再結合中心
- Si中の不純物のDissociative diffusion : 格子欠陥
- 3p-M-5 Knocked-on atomの飛跡