KAMIYA NOBUHIRO | Tenri Graduate School

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概要

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論文 | ランダム

• 国鉄におけるファクシミリの新しい自動制御方式
• New Analytical Model for Subthreshold Current in Short-Channel Fully-Depleted SOI MOSFETs
• New Electrically Thinned Intrinsic-Channel SOI MOSFET with 0.01 μm Channel Length
• New Electrically-Thinned Intrinsic-Channel SOI MOSFET with 0.01μm Channel Length
• 108 銅結晶の自己拡散係数に与える応力の影響の評価(関東支部 茨城講演会)

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