大野 賢二 | 富山大学和漢医薬学総合研究所|千葉大学大学院医学研究院先端和漢診療学
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概要
論文 | ランダム
- ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN_2^+イオンダメージ軽減の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 上唇に生じた多房性類表皮嚢胞の1例
- ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響
- 18aA04 ECRプラズマ励起MBE法によるGaAs基板上立方晶InNのエピタキシャル成長(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)