寺倉 千恵子 | 理研CERG
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概要
理研CERG | 論文
- 24pXA-6 3次元トポロジカル絶縁体表面における磁壁と磁気渦の荷電効果(24pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 23pXA-3 Z_2トポロジカル絶縁体における局在の相図と臨界指数(23pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 28aHG-4 乱れたZ_2絶縁体・金属転移の臨界指数と相図(28aHG トポロジカル絶縁体/超伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aHG-11 3次元トポロジカル絶縁体における表面量子ホール電流と電気磁気効果(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTC-7 磁性不純物をドープしたトポロジカル絶縁体における表面磁化制御(24aTC トポロジカル絶縁体(輸送・局在),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))