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下倉 健一朗 | NTTサイバーソリューション研究所
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23pPSA-55 定圧第一原理MD法による圧力誘起構造相転移へのk点サンプリング数の影響
EC裁判所判決の理由づけ(資料)
22aZC-4 定圧第一原理MD法によるSiの高圧下での構造のk点依存性
ヨ-ロッパ域内市場およびドイツ統一に向けての企業課税改革
30p-PSA-66 部分占有率を用いた第一原理MD法によるSiの高圧相の研究
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