山口 大輔 | 富山県立大 工学部 知能デザイン工学科
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概要
論文 | ランダム
- 米国の特許権消尽論--Quanta判決の示すもの[合衆国最高裁判所2008.6.9判決]
- Metalorganie Vapor Phase Epitaxial Growth and Properties of GaN/Al_Ga_N Layered Structures
- Cathodoluminescence Properties of Undoped and Zn-Doped Al_xGa_N Grown by Melalorganic Vapor Phase Epitaxy
- P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)
- Heteroepitaxial Growth and the Effect of Strain on the Luminescent Properties of GaN Films on (1120) and (0001) Sapphire Substrates : Condensed Matter