原田 昌史 | ファインセラミックスセンター
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概要
ファインセラミックスセンター | 論文
- 21pGE-16 スピネル型LiNi_2O_4における電荷軌道整列相の第一原理計算(21pGE パイロクロア・フラストレーション系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pYF-6 BaTiO_3セラミックスナノクラスターの第一原理的研究(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- ナノ構造研究所における計算材料設計 (特集 ファインセラミックス開発の新展開--JFCCは今)
- 26aYE-11 正方晶BaTiO_3誘電率異方性の第一原理的研究(誘電体(BaTiO_3関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20pXA-4 正方晶BaTiO_3誘電率異方性の第一原理的研究(誘電体(BaTiO_3系・SrTiO_3系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)