曽我 健一 | University of Cambridge, Department of Engineering|University of California, Berkeley, Department of Civil and Environmental Engineering

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概要

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• University of Cambridge, Department of Engineering|University of California, Berkeley, Department of Civil and Environmental Engineeringの論文著者

論文 | ランダム

• 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET
• 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• SRAM : 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• SRAM: 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))

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