松崎 一夫 | 富士電機総合研究所

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概要

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• 富士電機総合研究所の論文著者

富士電機総合研究所 | 論文

• リードフレーム構造を備えた薄ウェハIGBTの特性改善
• 1200V系トレンチゲート型フィールドストップIGBTの短絡特性の解析
• 接着剤硬化プロセスと熱応力特性
• 嫌気性接着剤の反応速度と接着強さ(III)
• 嫌気性接着剤の反応速度と接着強さ(II)

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