関野 昌蔵 | 新日本製鉄株式会社八幡製鉄所技術研究所，現在：新日本製鉄株式会社基礎研究所

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概要

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• 新日本製鉄株式会社八幡製鉄所技術研究所，現在：新日本製鉄株式会社基礎研究所の論文著者

論文 | ランダム

• 電子線照射されたGeの異常磁気抵抗
• 電子線照射によってGeに形成されたP-I-N構造
• 電子線照射されたGeにおける空間電荷制限電流
• 電子線照射されたGeの高電界特性
• 電子線照射によるTunnel Diodeの特性変化

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