Maruo Seiji | Hitachi Lab., Hitachi Ltd., 7–1–1 Ohmikacho, Hitachi, Ibaraki 319–12, Japan
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概要
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- Hitachi Lab., Hitachi Ltd., 7–1–1 Ohmikacho, Hitachi, Ibaraki 319–12, Japanの論文著者
論文 | ランダム
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 半導体ヘテロ構造界面の断面STMによる評価(結晶評価技術の新展開)