NAKAJIMA Nobuyoshi | Natl. Inst. Env.

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概要

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論文 | ランダム

• MOS形電界効果トランジスタの低周波雑音について-1-
• MOS形FETの静特性に対するバルクバイアスの影響
• 関数G1(Z;x1,x2)とG2(Z;x1,x2)の性質
• 拡張誤差関係を裏関数に含む新しいラプラス変換式
• ドリフト・トランジスタの誘導性アドミタンスとその接合障壁容量

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