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栗田 雄一 | 広島大学|JST
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2D14 ZnO バリスタの V-I 特性と粒界物性に及ぼす微量アルミニウムの添加効果
二重ショットキー障壁の電圧依存性と界面準位の影響(第1報) : 理論的解析
ICTS法によるZnOバリスタ界面準位の定量的評価
Pr系ZnOバリスタのC-t特性
1C17 ^O を用いた EB 蒸着による YBCO 薄膜の作製
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