松永 明 | 経済産業研究所|内閣官房

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論文 | ランダム

• 31p KH-11 イオン注入したNbSe_2の超伝導電流特性
• 31p GE-13 a-SiへのBP注入における補償効果
• 6a-LT-13 アモルファスシリコン薄膜へのPB注入
• 3p-BJ-14 a-Si へのイオン注入
• 31a-AB-10 GaSa表面の高速イオン後方散乱法による研究

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