津田 俊輔 | 物材機構:JST-TRIP
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概要
物材機構:JST-TRIP | 論文
- 20pGD-11 重い電子系超伝導体CeRhSi_3の磁場-温度相図の圧力依存性II(20pGD f電子系一般,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aTJ-4 重い電子系超伝導体CeRhSi_3の磁場-温度相図の圧力依存性 : CeRhIn_5との比較(反転対称のないCe化合物,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 20aHX-12 メゾスコピック超伝導における過剰抵抗と渦糸フロー(20aHX 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20aGH-12 KFe_2As_2の角度依存磁気抵抗振動(20aGH FeAs系超伝導(輸送特性など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pRG-4 CeRu_2(Si_Ge_x)_2のf電子状態の遍歴・局在 : 化学的圧力を用いたdHvA効果による研究(重い電子系および価数揺動,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)