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松井 正彦 | 大阪大学医学部, 第1解剖学教室
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論文 | ランダム
CVD法によるエピタキシャル成長PZT薄膜の析出条件
(100)Pt/(100)MgO基板上へのPzT薄膜の合成とその性質
高速でエピタキシャル成長させたCVD Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の特徴
CVD法で合成した窒化鉄-窒化チタン薄膜の微構造
研究技術動向の一断面
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