細川 史生 | JST-CEEST:日本電子
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概要
JST-CEEST:日本電子 | 論文
- 21pGP-9 宙づり単層及び二層グラフェンの長周期構造直接観察(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pPSA-16 ガス導入(O_2,N_2)によるAu/TiO_2の構造変化の観察(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aHT-5 収差補正STEMによる単原子観察とZコントラストイメージング(20aHT 領域10 格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23pGP-5 電子線非照射下のガス導入による金ナノ粒子/ルチルの構造変化の観察(23pGP ナノ構造・局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYG-6 球面収差補正TEM法によるグラフェン単原子直接観察(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)