三隅 伊知子 | 産総研　工学計測標準研究部門　ナノスケール標準研究グループ

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論文 | ランダム

• 電流制御結晶成長法によるIn_xGa_1-xSb結晶の組成変調(第二報)
• 回転引上げ結晶中の凹型ファセット成長
• GaSb回転引上げ結晶の微視的成長速度
• 電流制御によるIII-V化合物半導体の液相エピタキシャル成長法(第二報)
• 電流制御によるIII-V化合物半導体の液相エピタキシャル成長法(第一報)

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