FUJIKAWA Kenji | Network System Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology (NICT)
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概要
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論文 | ランダム
- 28p-ZL-4 原子ステップ配列制御によるSi(111)パターン表面上でのGe島の配列化
- 30p-YK-7 水素吸着表面におけるSi-Ge置換反応
- 28p-ZL-7 パターン形成したSi基板を用いた島の配列制御
- 28p-ZL-6 パターン基板上の酸窒化過程 : 反応の場所選択性
- 28p-ZL-5 MBE成長によるSi(111)パターン表面の原子ステップ配列制御(3) : SiGe混晶形成の効果