中ノ 勇人 | NTT物性基礎研:CREST-JST
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概要
NTT物性基礎研:CREST-JST | 論文
- 29aYH-4 パターン形成表面ゲートにより制御された半導体量子ドット
- 30aYA-4 量子ドットが結合した量子細線の電気伝導特性(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 22pTR-13 フォトニックアモルファスダイヤモンドにおける3次元フォトニックギャップ形成(領域5,領域1合同 メタマテリアル・フォトニック結晶,領域5,光物性)
- 22pTR-13 フォトニックアモルファスダイヤモンドにおける3次元フォトニックギャップ形成(領域5,領域1合同メタマテリアル・フォトニック結晶,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 25aHB-9 フォトニック・アモルファス・ダイヤモンドにおける光禁制帯形成と光局在(25aHB 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))