岩崎 達雄 | 岡山大学大学院医歯薬学総合研究科 麻酔・蘇生科
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概要
論文 | ランダム
- 2p-Q-7 Si表面の電子状態密度 : 化学擬ポテンシャル法
- 31a GD-2 クラスター・ベーテ・格子法による半導体の電子構造II. : Si中の格子間遷移金属不純物
- 31a GD-1 クラスター・ベーテ格子法による半導体の電子構造I. : IV族結晶の電子状態密度
- 3p-DS-1 半導体中の不純物のd軌道と母体との相互作用-化学擬ポテンシャル法-
- 31p-BJ-1 半導体中の遷移金属不純物の電子状態-不純物原子の電子配置