Kanamori Yoshiaki | Department of Finemechanics, Tohoku University
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概要
論文 | ランダム
- 3p-DS-1 半導体中の不純物のd軌道と母体との相互作用-化学擬ポテンシャル法-
- 31p-BJ-1 半導体中の遷移金属不純物の電子状態-不純物原子の電子配置
- 10p-R-7 半導体中の遷移金属不純物の電子状態
- 金属合金中の原子の電子状態と原子対相互作用(1975年度物性若手「夏の学校」開催後記)
- 12a-F-7 クラスター模型によるSi中の深い不純物準位の電子構造