村口 正和 | 東北大学際セ
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概要
東北大学際セ | 論文
- 24aWD-6 レーザーアブレーションによるSiI_4の重合反応の理論的解析(24aWD 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27aRD-11 水素及び重水素終端Si(111)-(1×1)の表面フォノン(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aXE-9 シクロヘキサシランとシリコン表面の相互作用
- 24aPS-55 Si(111)7×7表面におけるシクロヘキサシランの振動状態と吸着構造
- 25aYH-8 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)