中野 秀俊 | NTT物性基礎研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NTT物性基礎研究所の論文著者

NTT物性基礎研究所 | 論文

• GaN系半導体を用いた光・電子デバイス
• 窒化物ワイドギャップ半導体結晶成長 (特集論文1 窒化物ワイドギャップ半導体電子デバイス)
• GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
• 表面光吸収法を用いたステップフリー表面・界面の形成
• 高品質AlN上に成長したGaN層フリー紫外LED

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