槇山 正 | ヘイシンテクノベルク 製造部 部品製造グループ
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概要
論文 | ランダム
- Characteristics of Electron Trap Induced in n-InP by Hydrogen Plasma Exposure
- Surface-Emitting Laser with a Common-Anode Configuration for Application to the Photonic Parallel Memory
- Effect of Phosphine on Plasma-Induced Traps in n-InP
- Measurement of Surface Fermi Level in Phosphidized GaAs
- ポンプ機場の振動とその防止対策例