松原 道彦 | 竹中工務店　東京本店

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論文 | ランダム

• Influence of Phosphorus Evaporation from Melt on InGaP/GaAs LPE Growth
• LPE Growth of In_Ga_xAs_P_y with Narrow Photoluminescence Spectrum on GaAs (111)B Substrates
• Photoluminescence Processes of Zn-Doped In_Ga_xP with 0.6
• Electrical Properties of Zn-Doped In_Ga_xP
• Luminescence of Zn Diffused In_ ,Ga_xP in the Direct Transition Region

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